国家/地区 韩国（34） 美国（25） 欧洲专利局（EPO）（5） 世界知识产权组织（5） 中国（4） 日本（3）
IPC部 B（34） C（26） H（23）
G（5）
IPC大类 B82（34）
IPC小类 B82Y（26） C01B（23） H01L（16）
B82B（15） C23C（9） B01J（7）
B32B（7） H01B（6） H01M（5）
B44C（3） B05D（2） B41M（2）
G01N（2）
IPC B82Y040/00（20） C01B031/02（16） C01B031/04（16）
B82Y030/00（14） B82B003/00（11） B82B001/00（7）
H01L029/16（7） B82Y099/00（6） H01L029/06（5）
H01L029/786（5） H01L021/02（4） H01M010/052（4）
C23C016/26（3） H01B001/04（3） H01B005/14（3）
发明人 CHOI J（9） CHOI J Y（8） AHN J（6）
LEE H（5） PARK J H（5） SHIN H（5）
SHIN H J（5） AHN J R（4） CHOI B L（4）
KIM S（4） LEE E K（4） WHANG D M（4）
YOO J B（4） CHOI B（3） HONG B H（3）
公开年 2014（9） 2012（7） 2013（7） 2011（5） 2021（2）
申请年 2012（12）  2013（6）  2011（5）  2014（4）  2010（2）  2020（2） 
专利权人 UNIV SUNGKYUNKWAN RES BUSINESS FOUND（34）

Biosensor using heterojunction channel, comprises semiconductor substrate, two-dimensional semiconductor material formed on semiconductor substrate, graphene formed on semiconductor substrate, first electrode.

YU W J, KIM J, PARK M H

Manufacture of patterned metal nanosphere array layer used for electronic device, involves forming metal nanosphere array layer on polymer mold in which a nano-pillar pattern protruding from surface is formed, laminating high-temperature release film on polymer mold, and peeling array layer.

PARK J H, KYU K, YI G R, KIM J K

Nanocomposite useful as electrode active material of lithium secondary battery, comprises tin ferrite and graphene having an inverse spinel structure.

SEOP Y W, PALANISAMY K, UM J H, JUNG M H

Preparation of graphene quantum dot used in e.g. light-emitting device, involves adding potassium peroxymonosulfate to carbon material by solvothermal redox reaction, sono-Fenton reaction or sonophoto-Fenton reaction of carbon material.

LEE H, SHIN Y H, HYUN D, PARK J, KIM K S

Manufacturing metal oxide nanoparticles/graphene composite using supercritical fluid comprises preparing dispersion solution by dispersing graphene oxide and metal oxide precursor in organic solvent, and reacting at supercritical conditions.

DO HYEON Y, JI E H, KIM J, WENYING L, YOON D H, LI W, HWANG J E

Graphene pattern formation method involves forming DNA pattern, and forming graphene pattern on DNA pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S

Patterning a graphene in the manufacturing of semiconductor chip, by forming a DNA pattern and forming graphene on pattern, where pattern is formed by forming metal ion pattern on a substrate and adsorbing a DNA structure on ion pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S

Manufacture of graphene laminated structure used for electronic device, involves plasma-treating surface of hexagonal boron nitride sheet, depositing hexagonal boron nitride sheet on graphene sheet, and forming insulating layer.

KIM S, HAN S, HAN S A, KIM S W

Electrode structure useful in electric device e.g. fuel cell and solar cell, comprises rolled graphene film which is wound about central axis, and nanomaterial dispersed on surface of rolled graphene film.

YOON Y, LEE H, KWON S, CHOI J, KWON S G, LEE H Y, RYU C J, YOON Y H, RYU Y, YUN Y, CHOI J Y

Graphene-nanoparticle structure used in photoelectric device e.g. fuel cells and supercapacitors comprises substrate; first graphene layer disposed on the substrate; and first nanoparticle layer disposed on the first graphene layer.

KIM S, KANG D, CHA S, SHAKIR M I, PARK Y, CHA S N, KANG D J, KIM S M, PARK Y J